可靠性試驗(yàn)的目標(biāo)是通過模擬和加速半導(dǎo)體元器件在整個壽命周期 中遭遇的各種情況（器件應(yīng)用壽命長短） 可靠性試驗(yàn)?zāi)康模菏乖囍齐A段的產(chǎn)品達(dá)到預(yù)定的可靠性指標(biāo)。對產(chǎn)品的制作過程起監(jiān)控作用。根據(jù)試驗(yàn)制定出合理的工藝篩選條件。通過試驗(yàn)可以對產(chǎn)品進(jìn)行可靠性鑒定或驗(yàn)收。通過試驗(yàn)可以研究器件的失效機(jī)理。

目的：利用高低溫對膨脹和收縮的機(jī)械密封應(yīng)力 作用下的非密封封裝固態(tài)器件的耐久性

檢測能力：溫度范圍：-75℃~250℃ 

覆蓋產(chǎn)品：模塊、MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， 等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：評估產(chǎn)品長時間暴露在高溫下的耐久性

檢測能力：溫度最高300℃ 

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導(dǎo)體器件 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：評估器件此測試加速介質(zhì)擊穿并檢查柵氧 化層質(zhì)量。

檢測能力：溫度最高200℃，電壓最高2000V

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、等半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：評估器件在最大額定反向直流電壓和結(jié)溫 下的持久能力

檢測能力：溫度最高200℃，電壓最高2000V

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導(dǎo)體器件 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：評估抵抗由間歇施加負(fù)載引起的結(jié)溫波動 的能力。

檢測能力：0～80.0V/0～60A

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

Power module

檢測能力：0-500A

覆蓋產(chǎn)品：Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導(dǎo)體器件

目的：評估器件在高溫下最大額定直流電壓和濕 度的綜合影響下器件的能力。

檢測能力：溫度-45~150℃；濕度：0-99%RH,電壓最高300V

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR， Power module(IGBT/Diodes/SCR)等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：主要適用于產(chǎn)品抗?jié)裥栽u估及堅(jiān)固性測試， 評估元器件在高溫和高壓條件下抵抗潮濕相關(guān)失 效的能力

檢測能力：溫度121℃ 濕度100%

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導(dǎo) 體器件

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：這個測試方法主要適用于抗?jié)裥栽u估和堅(jiān)固性測試，并可能被用作無偏置高壓鍋試驗(yàn)的替代品

檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85% 覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導(dǎo)體器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：評估元器件在通電，高溫，高濕和高壓條件下抵抗潮濕相關(guān)失效的能力

檢測能力：溫度130℃ 濕度85%/溫度110℃ 濕度85%

With bias

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、DIODE、Transistor、SIC等分立半導(dǎo)體器件

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

目的：模似器件在包裝，運(yùn)輸 ，貼片過程中影響 產(chǎn)品的性能評估

檢測能力：室溫~400℃；加熱溫區(qū)：上10/下10 

覆蓋產(chǎn)品：所有SMD類型器件 

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JEDEC，AEC或客戶自定義等

 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模涸u估產(chǎn)品對濕氣的敏感度

評估那些由濕氣所誘發(fā)應(yīng)力敏感的非密封固態(tài)表面貼裝元器件的分類,以便對其進(jìn)行正確的封裝,  儲存和處理, 以防回流焊和維修時損傷元器件。

目的：低溫儲存試驗(yàn)具有代表性的被用來判斷溫 度和時間對儲存環(huán)境下固態(tài)電子元器件的影響 （熱激活失效機(jī)制）

檢測能力：溫度低-75 ℃  

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、DIODE、Transistor、SCR，等分立半導(dǎo)體器件 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：GB，JEDEC，AEC或客戶自定義等

檢測能力：HBM最大電壓：8000V；MM最大電壓：800V

覆蓋產(chǎn)品：MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：MIL，AEC等