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一文讀懂芯片封裝的可靠性測(cè)試
可靠性測(cè)試主要是產(chǎn)品在一些特定的狀態(tài)(特定使用環(huán)境與一定時(shí)間),對(duì)產(chǎn)品壽命影響的評(píng)估,確認(rèn)產(chǎn)品的質(zhì)量是否穩(wěn)定,同時(shí)進(jìn)行最佳的修正。通??蛻魹榱艘钥臁⒌姆绞皆u(píng)估芯片的狀況,會(huì)通過加速測(cè)試,即采用比芯片正常工作狀況更嚴(yán)苛的條件來進(jìn)行測(cè)試,以此大幅縮短測(cè)試時(shí)間,快速評(píng)估故障發(fā)生率。
加速測(cè)試使用的前提是通過加速測(cè)試得到的故障機(jī)制必須和正常操作狀況得到的故障機(jī)制相同,的差別應(yīng)該只有時(shí)間的長(zhǎng)短差異,如此執(zhí)行加速測(cè)試才有意義,否則就失去加速測(cè)試的初衷。一般常用的可靠性測(cè)試項(xiàng)目所選用的加速測(cè)試條件都與電壓、濕度和溫度等環(huán)境參數(shù)有關(guān)。
圖1 可靠性測(cè)試示意圖
芯片的可靠性在一定程度上可以說是芯片的壽命體現(xiàn),作為一個(gè)質(zhì)量控制和評(píng)估產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn)的工具,以及一個(gè)生產(chǎn)制造與材料供應(yīng)的穩(wěn)定度指標(biāo),可靠性成為客戶在芯片上市量產(chǎn)前必須關(guān)注和研發(fā)改進(jìn)的重要指標(biāo)。在客戶對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有要求的前提下,可靠性測(cè)試的具體執(zhí)行就有三大方向:驗(yàn)證什么,如何驗(yàn)證,到哪里驗(yàn)證。解決了這三個(gè)問題,質(zhì)量和可靠性就有了保證,廠商才可以大量地將產(chǎn)品推向市場(chǎng),也更容易獲得消費(fèi)者的青睞。
目前芯片載板封裝的可靠性測(cè)試,大部分都是依照各個(gè)封裝廠客戶所要求的采購規(guī)范來執(zhí)行,同時(shí)也會(huì)參照其他廠家或某些的可靠性規(guī)范來進(jìn)行檢測(cè)。以下是進(jìn)行可靠性測(cè)試最常被采用的組織:
(1)國(guó)際電工委員會(huì)(IEC)
(2)(Milstd)
(3)國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)(IPC)
(4)半導(dǎo)體工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織(JEDEC)
(5)日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(JIS)
通常芯片封裝組件的可靠性測(cè)試都是圍繞著溫度、濕度及電壓的影響因子,針對(duì)產(chǎn)品整體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能和機(jī)械強(qiáng)度的檢測(cè)來展開的。
圖2 芯片載板封裝常用可靠性測(cè)試示意圖
各封裝廠判斷可靠性測(cè)試項(xiàng)目的標(biāo)準(zhǔn)相同,以下就對(duì)目前市場(chǎng)上常用的芯片封裝組件用到的可靠性測(cè)試項(xiàng)目作簡(jiǎn)單的歸類及闡述。
圖3 芯片封裝的可靠性測(cè)試條件及流程示意圖
通常封裝廠對(duì)封裝完成品要執(zhí)行的可靠性測(cè)試項(xiàng)目會(huì)有六項(xiàng),這六項(xiàng)測(cè)試項(xiàng)目有些可以同時(shí)進(jìn)行,有些必須等待前面的項(xiàng)目完成后再執(zhí)行。每個(gè)測(cè)試項(xiàng)目依采樣方式,隨機(jī)抽取一定數(shù)量產(chǎn)品的可靠性測(cè)試結(jié)果來判定是否通過測(cè)試。由封裝廠確定抽樣的規(guī)定與標(biāo)準(zhǔn),每一家工廠各不相同,企業(yè)規(guī)模大的工廠的可靠性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)通常會(huì)較嚴(yán)苛。
以下分別對(duì)各項(xiàng)測(cè)試的內(nèi)容與目的作說明:
(1)溫度循環(huán)測(cè)試(Temperature Cycling Test, TCT):是由熱氣腔和冷氣腔組成,通過將封裝體暴露在高低溫氣體轉(zhuǎn)換的環(huán)境中,測(cè)試封裝體抵抗溫度差異化的能力。常見的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為測(cè)試條件2,往復(fù)循環(huán)1000次,最終根據(jù)測(cè)試電路的通斷情況判斷測(cè)試是否通過。(見圖4)
圖4 溫度循環(huán)測(cè)試示意圖
測(cè)試目的:評(píng)估芯片產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬間接口的接觸良率。方法是通過相對(duì)溫度差異大的氣體環(huán)境,從高溫到低溫往復(fù)變化。
測(cè)試條件:條件1: -55℃~125℃;條件2: -65℃~150℃。失效機(jī)制:電路的短路和斷路、材料的破壞及結(jié)構(gòu)機(jī)械變形。(見圖5)
圖5 TCT后的芯片封裝失效缺陷圖
(2)熱沖擊測(cè)試(Thermal Shock Test, TST):是通過將封裝體暴露于高低溫液體的轉(zhuǎn)換環(huán)境中,測(cè)試封裝體抗熱沖擊的能力。常見的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為測(cè)試條件2,往復(fù)循環(huán)1000次,最終根據(jù)測(cè)試電路的通斷情況判斷測(cè)試是否通過。(見圖6)
圖6 熱沖擊測(cè)試流程及規(guī)范指標(biāo)示意圖
測(cè)試目的:評(píng)估芯片產(chǎn)品中具有不同熱膨脹系數(shù)的金屬間接口的接觸良率。方法是通過循環(huán)流動(dòng)的液體從高溫到低溫往復(fù)變化。測(cè)試條件:條件1: -55℃~125℃;條件2: -65℃~150℃。失效機(jī)制:電路的短路和斷路、材料的破壞及結(jié)構(gòu)機(jī)械變形。(見圖7)
圖7 TST后的導(dǎo)通線路斷裂失效缺陷圖
TCT與TST的區(qū)別在于TCT偏重于芯片封裝的測(cè)試,而TST偏重于晶圓的測(cè)試。
(3)高溫儲(chǔ)藏試驗(yàn)(High Temperature Storage Test, HTST):通過將封裝體長(zhǎng)時(shí)間暴露于150℃的高溫氮?dú)鉅t中,測(cè)試電路通斷路情況。(見圖8)
圖8 高溫儲(chǔ)藏試驗(yàn)規(guī)范指標(biāo)示意圖
測(cè)試的目的:主要在于測(cè)試長(zhǎng)期高溫狀況下,例如150℃加熱1000小時(shí)的情況,封裝體中可能因?yàn)槲镔|(zhì)活性增強(qiáng),物質(zhì)遷移擴(kuò)散而影響電路性能。測(cè)試的條件:溫度:150℃;時(shí)間:500hrs/1000hrs;電性能測(cè)試:開路/短路測(cè)試。失效機(jī)制:電路的短路和斷路、材料的破壞及結(jié)構(gòu)機(jī)械變形。
(4)蒸汽鍋測(cè)試(Pressure Cooker Test, PCT):俗稱高壓鍋測(cè)試,主要測(cè)試封裝產(chǎn)品抵抗環(huán)境濕度的能力,并通過增加壓強(qiáng)來縮短測(cè)試時(shí)間。(見圖9)
圖9 蒸汽鍋測(cè)試/熱應(yīng)力測(cè)試流程示意圖
測(cè)試目的:評(píng)估芯片產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力,加速其性能失效的過程。測(cè)試條件:130℃, 85%相對(duì)濕度,通電加偏壓,鍋內(nèi)壓力2個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。失效機(jī)制:化學(xué)金屬腐蝕,封裝塑封異常。(見圖10)
圖10 PCT后的金屬電路失效缺陷圖
(5)加速應(yīng)力測(cè)試(High Accelerated Temperature and Humidity Stress Test, HAST):通過在高溫高濕以及偏壓的環(huán)境下,測(cè)試封裝體抗?jié)穸饶芰Α#ㄒ妶D11)
圖11 加速應(yīng)力測(cè)試流程示意圖
測(cè)試目的:評(píng)估芯片產(chǎn)品在偏壓及高溫、高濕、高氣壓條件下對(duì)濕度的抵抗能力,加速其失能過程。
圖12 HAST后的金屬電路失效缺陷圖
測(cè)試條件:130℃,85%相對(duì)濕度,1.1伏特,通電加偏壓,鍋內(nèi)壓力2.3個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。失效機(jī)制:線路腐蝕,封裝塑封異常。
(6)Precon測(cè)試(Precondition Test):是模擬芯片封裝完成后,運(yùn)輸?shù)较掠谓M裝廠裝配成最終產(chǎn)品的過程中,針對(duì)產(chǎn)品會(huì)經(jīng)歷的可能環(huán)境變化所作的可靠性測(cè)試項(xiàng)目。模擬測(cè)試整個(gè)過程中有類似TCT和THT的測(cè)試。測(cè)試前先確認(rèn)封裝電器成品性能沒有問題,然后開始各項(xiàng)惡劣環(huán)境的考驗(yàn),先是TCT,模擬運(yùn)輸過程中的溫度變化,目的在了解電子元器件的吸濕狀況,再在恒溫環(huán)境放置一段時(shí)間后(吸濕測(cè)試條件分為6個(gè)等級(jí),依客戶要求選用測(cè)試),再模擬后段焊錫加工過程,然后檢查元器件的電器特性及內(nèi)部結(jié)構(gòu)是否失效。(見圖13)
圖13 Precon測(cè)試爆米花分層失效圖
在Precon測(cè)試中最常見的問題有爆米花效應(yīng)(Popcorn)跟分層(Delamination)失效等問題,這些問題都是因?yàn)榉庋b體在吸濕后遭遇高溫,內(nèi)部水分變?yōu)闅怏w,急速膨脹導(dǎo)致封裝元器件受損造成的。
綜上所述,一個(gè)好的電子產(chǎn)品,可以從可靠性的測(cè)試數(shù)據(jù)來預(yù)測(cè),芯片封裝體必須要具有較強(qiáng)的耐濕、耐熱的能力,采用上述6個(gè)可靠性測(cè)試的驗(yàn)證,有利于反饋并改善封裝設(shè)計(jì)管理,從而提高產(chǎn)品的可靠性。
芯片封裝載板生產(chǎn)工藝發(fā)展了幾十年,逐漸遇到生產(chǎn)制造的瓶頸,蘋果公司已開始導(dǎo)入一種稱為類載板制造方法(Substrate Like Process, SLP),給硬質(zhì)載板的生產(chǎn)工藝帶來了升級(jí)的機(jī)會(huì)。類載板生產(chǎn)工藝基本上是PCB硬板的一種方法,只是制程上更接近半導(dǎo)體較細(xì)線路的制造工藝,這種制造工藝、原材料和設(shè)計(jì)方案還可以發(fā)展出很多變化。類載板制造方法的出現(xiàn),讓高密度互連PCB廠商及現(xiàn)有的載板廠也可以生產(chǎn),成為封裝廠新材料供應(yīng)商的新選擇。
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上海簡(jiǎn)戶儀器設(shè)備有限公司是一家高科技合資企業(yè),生產(chǎn)銷售鹽霧箱、恒溫恒濕機(jī)、冷熱沖擊機(jī)、振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)、機(jī)械沖擊機(jī)、跌落試驗(yàn)機(jī)的環(huán)境試驗(yàn)儀器的公司,研發(fā)生產(chǎn)銷售經(jīng)營(yíng)各類可靠性環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。經(jīng)驗(yàn)豐富,并得到許多國(guó)內(nèi)外廠商的信賴與支持。自公司成立以來,多次服務(wù)于國(guó)內(nèi)外大學(xué)和研究所等檢測(cè)機(jī)構(gòu),如清華大學(xué)、蘇州大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、法國(guó)申美檢測(cè)、中科院物理所、中科院,SGS等**單位提供實(shí)施室方案和設(shè)備及其相關(guān)服務(wù)。努力開發(fā)半導(dǎo)體、光電、光通訊、航天太空、生物科技、食品、化工、制藥等行業(yè)產(chǎn)品所需的測(cè)試設(shè)備裝置。公司擁有一支的研發(fā)、生產(chǎn)和售後隊(duì)伍,從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù),每一個(gè)環(huán)節(jié)都以客戶的觀點(diǎn)與需求作為思考的出發(fā)點(diǎn)。
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