服務(wù)熱線
15901805483
Product category
芯片可靠性測(cè)試項(xiàng)目及各種實(shí)驗(yàn)箱
可靠性試驗(yàn)，是指通過試驗(yàn)測(cè)定和驗(yàn)證產(chǎn)品的可靠性。
研究在有限的樣本、時(shí)間和使用費(fèi)用下，找出產(chǎn)品薄弱環(huán)節(jié)。
可靠性試驗(yàn)是為了解、評(píng)價(jià)、分析和提高產(chǎn)品的可靠性而進(jìn)行的各種試驗(yàn)的總稱。
為了測(cè)定、驗(yàn)證或提高產(chǎn)品可靠性而進(jìn)行的試驗(yàn)稱為可靠性試驗(yàn)，它是產(chǎn)品可靠性工作的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。
芯片可靠性測(cè)試主要分為環(huán)境試驗(yàn)和壽命試驗(yàn)兩個(gè)大項(xiàng)，可靠性測(cè)試是確保芯片在實(shí)際應(yīng)用中能夠穩(wěn)定運(yùn)行和長期可靠的關(guān)鍵步驟。
一般來說，可靠度是產(chǎn)品以標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)條件下，在特定時(shí)間內(nèi)展現(xiàn)特定功能的能力，可靠度是量測(cè)失效的可能性，失效的比率，以及產(chǎn)品的可修護(hù)性。
根據(jù)產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)范以及客戶的要求，我們可以執(zhí)行MIL-STD、JEDEC、IEC、JESD、AEC、andEIA等不同規(guī)范的可靠度的測(cè)試。
高溫壽命試驗(yàn)也叫老化測(cè)試，是一種常用的芯片可靠性測(cè)試方法，通過將芯片在高溫環(huán)境下長時(shí)間運(yùn)行，以模擬實(shí)際使用中的熱應(yīng)力和老化過程。這種測(cè)試有助于評(píng)估芯片在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和長期可靠性。
在進(jìn)行熱老化測(cè)試時(shí)，芯片通常被放置在具有恒定高溫的熱槽中，持續(xù)運(yùn)行一段時(shí)間，常見的測(cè)試溫度范圍為100°C至150°C。測(cè)試期間，芯片的電氣特性、性能和可靠性會(huì)被監(jiān)測(cè)和記錄。
通過熱老化測(cè)試，可以檢測(cè)到由于熱擴(kuò)散、結(jié)構(gòu)破壞或材料衰變等原因引起的故障。這些故障可能包括電阻變化、電流漏泄、接觸不良、金屬遷移等。通過分析測(cè)試結(jié)果，可以評(píng)估芯片在長期高溫環(huán)境下的可靠性，并為改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造過程提供參考。
LTOL測(cè)試通過在低溫下對(duì)芯片進(jìn)行加速老化測(cè)試，以評(píng)估芯片在低溫條件下的可靠性和壽命。低溫工作壽命測(cè)試可以幫助制造商了解芯片在低溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
在一些環(huán)境下，例如航空航天、軍事、醫(yī)療等領(lǐng)域，芯片需要能夠在極低的溫度下正常工作，因此對(duì)于這些應(yīng)用場(chǎng)景來說，低溫工作壽命測(cè)試是至關(guān)重要的。
跌落測(cè)試用于評(píng)估芯片在物理沖擊和振動(dòng)環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。這種測(cè)試模擬了實(shí)際使用中可能發(fā)生的跌落或震動(dòng)情況。在跌落測(cè)試中，芯片會(huì)被安裝在特制的跌落測(cè)試設(shè)備上，并進(jìn)行控制的跌落或震動(dòng)操作。測(cè)試設(shè)備通常會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)格定義的沖擊或振動(dòng)力度、方向和頻率，以模擬實(shí)際使用中可能遇到的物理應(yīng)力。
通過跌落測(cè)試，可以檢測(cè)到由于跌落或震動(dòng)引起的連接斷裂、結(jié)構(gòu)損壞、材料破裂等問題。測(cè)試期間，芯片的電氣特性、性能和可靠性會(huì)被監(jiān)測(cè)和記錄。分析跌落測(cè)試結(jié)果可以評(píng)估芯片在實(shí)際使用條件下的抗沖擊和抗振動(dòng)能力，并提供改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造過程的參考。此外，跌落測(cè)試還有助于確定芯片在運(yùn)輸、裝配和實(shí)際使用中的適應(yīng)性和耐久性。
大多數(shù)半導(dǎo)體器件的壽命在正常使用下可超過很多年。但我們不能等到若干年后再研究器件；我們必須增加施加的應(yīng)力。施加的應(yīng)力可增強(qiáng)或加快潛在的故障機(jī)制，幫助找出根本原因，并幫助 TI 采取措施防止故障模式。
在半導(dǎo)體器件中，常見的一些加速因子為溫度、濕度、電壓和電流。在大多數(shù)情況下，加速測(cè)試不改變故障的物理特性，但會(huì)改變觀察時(shí)間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額"。
高加速測(cè)試是基于 JEDEC 的資質(zhì)認(rèn)證測(cè)試的關(guān)鍵部分。以下測(cè)試反映了基于 JEDEC 規(guī)范 JEP47 的高加速條件。如果產(chǎn)品通過這些測(cè)試，則表示器件能用于大多數(shù)使用情況。
芯片的UHAST測(cè)試是通過施加的電壓和溫度條件來加速芯片在短時(shí)間內(nèi)的老化和故障模式。具體的UHAST測(cè)試條件，包括高溫、高濕、壓力和偏壓值，以下是一些常見的UHAST測(cè)試條件的參考數(shù)值。
高溫：通常在大約100°C至150°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行，具體溫度取決于芯片的設(shè)計(jì)要求和應(yīng)用環(huán)境。有時(shí)候，更高的溫度也可能被用于特殊情況下的測(cè)試。
高濕度：一般的UHAST測(cè)試中，相對(duì)濕度通常保持在85%至95%之間。高濕度條件下會(huì)加劇芯片的老化和腐蝕。
壓力：測(cè)試期間施加的壓力可以通過測(cè)試裝置或封裝環(huán)境來實(shí)現(xiàn)。壓力的具體數(shù)值通常在2大氣壓（atm）至20大氣壓之間，具體數(shù)值取決于測(cè)試要求和芯片的應(yīng)用場(chǎng)景。
偏壓：偏壓通常指施加在芯片引腳或器件上的電壓。具體的偏壓數(shù)值取決于芯片的設(shè)計(jì)和應(yīng)用需求。在UHAST測(cè)試中，偏壓可以用于加速故障模式的產(chǎn)生，例如漏電流、擊穿等。
BLT用于評(píng)估MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等器件在長期偏置和高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。在BLT偏壓壽命試驗(yàn)中，芯片會(huì)被加以恒定的偏置電壓，并暴露于高溫環(huán)境中。偏置電壓通常是根據(jù)具體芯片規(guī)格和應(yīng)用需求進(jìn)行設(shè)定的。在持續(xù)的高溫和偏置條件下，芯片的特性、性能和可靠性將被監(jiān)測(cè)和記錄。
BLT測(cè)試的目的是檢測(cè)由于偏壓和高溫環(huán)境引起的偏壓老化效應(yīng)。這些效應(yīng)可能導(dǎo)致硅介質(zhì)的損失、界面陷阱的形成和能帶彎曲等問題。測(cè)試結(jié)果可以用于評(píng)估芯片在長期使用和高溫環(huán)境下的可靠性，并為設(shè)計(jì)和制造過程的改進(jìn)提供參考。
BLT-LTST用于評(píng)估MOSFET等器件在低溫、長期偏置和高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。在BLT-LTST低溫偏壓壽命試驗(yàn)中，芯片會(huì)被暴露于低溫環(huán)境，并施加恒定的偏置電壓和高壓。低溫條件通常在-40°C至-60°C范圍內(nèi)設(shè)定，具體取決于芯片規(guī)格和應(yīng)用需求。在持續(xù)的低溫、偏置和高壓條件下，芯片的特性、性能和可靠性將被監(jiān)測(cè)和記錄。
BLT-LTST測(cè)試的目的是檢測(cè)由于低溫偏壓和高壓環(huán)境引起的可靠性問題。這些問題可能包括硅介質(zhì)的損失、漏電流增加、接觸不良等。通過分析測(cè)試結(jié)果，可以評(píng)估芯片在低溫和偏壓環(huán)境下的可靠性，并提供改進(jìn)設(shè)計(jì)和制造過程的參考。
預(yù)處理（preconditioning）是指在芯片可靠性測(cè)試之前對(duì)芯片進(jìn)行一些特定的處理，以達(dá)到特定的測(cè)試目的。預(yù)處理通常包括兩個(gè)步驟：溫度循環(huán)和濕度循環(huán)。
溫度循環(huán)通常包括高溫和低溫，用于模擬芯片在實(shí)際應(yīng)用中遇到的高溫和低溫環(huán)境。濕度循環(huán)則用于模擬芯片在潮濕環(huán)境下的工作情況，從而評(píng)估芯片在濕度環(huán)境下的可靠性。
溫度循環(huán)測(cè)試旨在評(píng)估芯片在溫度變化環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。這種測(cè)試模擬了實(shí)際使用中由于溫度變化引起的熱應(yīng)力和材料疲勞。在溫度循環(huán)測(cè)試中，芯片會(huì)在不同溫度之間進(jìn)行循環(huán)暴露。通常，測(cè)試會(huì)在兩個(gè)或多個(gè)不同的溫度點(diǎn)之間進(jìn)行切換，例如從低溫（如-40°C）到高溫（如125°C）。每個(gè)溫度點(diǎn)的暴露時(shí)間可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整。
通過溫度循環(huán)測(cè)試，可以檢測(cè)到由于溫度變化引起的結(jié)構(gòu)應(yīng)力、熱膨脹差異、焊點(diǎn)疲勞等問題。這些問題可能導(dǎo)致接觸不良、焊接斷裂、金屬疲勞等故障。測(cè)試期間，芯片的電氣特性、性能和可靠性會(huì)被監(jiān)測(cè)和記錄。
早期失效壽命試驗(yàn)旨在評(píng)估芯片在其使用壽命的早期階段內(nèi)是否存在任何潛在的故障或失效。這種測(cè)試通常在芯片制造過程中或產(chǎn)品開發(fā)的早期階段進(jìn)行。它涉及加速測(cè)試和高度應(yīng)力環(huán)境下的芯片運(yùn)行。通過施加高溫、高電壓、高頻率等條件，使芯片在短時(shí)間內(nèi)暴露于更嚴(yán)苛的環(huán)境，以模擬實(shí)際使用中的應(yīng)力情況。
早期失效壽命試驗(yàn)的目標(biāo)是提前發(fā)現(xiàn)潛在的故障和不良，以便進(jìn)行適當(dāng)?shù)母倪M(jìn)和調(diào)整。通過分析測(cè)試結(jié)果，可以確定芯片設(shè)計(jì)和制造過程中的弱點(diǎn)，并采取相應(yīng)措施來提高芯片的可靠性和壽命。
高溫存儲(chǔ)是指在芯片可靠性測(cè)試中，通過將芯片長時(shí)間存放在高溫環(huán)境下，來評(píng)估芯片在高溫環(huán)境下的可靠性和壽命。
在高溫存儲(chǔ)測(cè)試中，芯片通常被置于高溫環(huán)境中（通常為125℃到175℃）存放一段時(shí)間，例如1000小時(shí)或更長時(shí)間。這樣的高溫環(huán)境可以加速芯片老化過程，從而更快地確定芯片在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和壽命。
HTS（也稱為“烘烤"或 HTSL）用于確定器件在高溫下的長期可靠性。與 HTOL 不同，器件在測(cè)試期間不處于運(yùn)行條件下。
在HAST測(cè)試中，**芯片被置于一個(gè)高溫高濕的環(huán)境下（通常為85℃和85%相對(duì)濕度），并且在高溫高濕的環(huán)境下施加電壓或電流進(jìn)行加速老化。**這種的環(huán)境可以加速元器件的老化過程，并導(dǎo)致元器件在較短時(shí)間內(nèi)失效，從而可以提前發(fā)現(xiàn)元器件的潛在問題。
HAST測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)是加速老化速度，因此可以在相對(duì)較短的時(shí)間內(nèi)獲得元器件的可靠性信息。此外，它還可以提供更大的濕度差異，從而更好地模擬實(shí)際應(yīng)用中的濕度環(huán)境。
根據(jù) JESD22-A110 標(biāo)準(zhǔn)，THB 和 BHAST 讓器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時(shí)處于偏壓之下，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕。THB 和 BHAST 用途相同，但 BHAST 條件和測(cè)試過程讓可靠性團(tuán)隊(duì)的測(cè)試速度比 THB 快得多。
在THB測(cè)試中，元器件通常會(huì)被置于一個(gè)高溫高濕的環(huán)境中（通常為85℃和85%相對(duì)濕度），并施加一個(gè)恒定的電壓或電流偏壓。測(cè)試持續(xù)時(shí)間可以根據(jù)元器件類型和應(yīng)用來確定，通常為數(shù)百小時(shí)至數(shù)千小時(shí)。
與傳統(tǒng)的高加速溫濕度應(yīng)力試驗(yàn)（HAST）不同，UHAST測(cè)試不施加電壓或電流偏壓，只是在高溫高濕的環(huán)境下對(duì)樣品進(jìn)行加速老化。
通常，UHAST測(cè)試的條件是85℃和85%相對(duì)濕度，而測(cè)試時(shí)間可以根據(jù)元器件類型和應(yīng)用來確定，通常為數(shù)百小時(shí)至數(shù)千小時(shí)。
早期壽命失效率是指在元器件使用壽命中的早期階段內(nèi)發(fā)生故障的概率。通常，元器件的壽命被分為三個(gè)階段：早期壽命、中期壽命和晚期壽命。在元器件的早期壽命階段，由于制造過程、材料缺陷或其他因素，元器件可能會(huì)出現(xiàn)早期故障。通常用單位時(shí)間內(nèi)的故障數(shù)來表示。例如，如果元器件在1000小時(shí)內(nèi)發(fā)生了5次故障，那么它的早期壽命失效率為5/1000 = 0.005故障/小時(shí)。
潮濕敏感度等級(jí)是表征電子元器件對(duì)潮濕度的敏感程度的等級(jí)。在制造、存儲(chǔ)和運(yùn)輸過程中，潮濕度會(huì)對(duì)元器件造成損害，如金屬氧化、絕緣降低等。因此，電子元器件的MSL等級(jí)被用來指導(dǎo)元器件的存儲(chǔ)、運(yùn)輸和焊接等工藝過程，以確保元器件的可靠性。
MSL等級(jí)通常用數(shù)字來表示，數(shù)字越小表示元器件對(duì)潮濕度的敏感程度越高，需要采取更加嚴(yán)格的控制措施。例如，MSL-1表示元器件對(duì)潮濕度的敏感度，可以在長時(shí)間的恒溫恒濕環(huán)境下存儲(chǔ)；而MSL-6表示元器件對(duì)潮濕度的敏感度最高，必須在特定的焊接時(shí)間內(nèi)焊接，并且不能超的存儲(chǔ)時(shí)間。
高壓蒸煮是一種測(cè)試芯片耐受高溫高壓的實(shí)驗(yàn)。在這種實(shí)驗(yàn)中，芯片通常被放置在一個(gè)高壓容器中，容器內(nèi)充滿高壓蒸汽，并加熱到高溫，以模擬芯片在環(huán)境下的使用情況。
在實(shí)驗(yàn)期間，芯片可能會(huì)暴露于高溫高壓環(huán)境中，這可能會(huì)對(duì)芯片的性能產(chǎn)生不良影響，如導(dǎo)致芯片損壞、失效、電性能變差等。因此，通過高壓蒸煮實(shí)驗(yàn)可以測(cè)試芯片在環(huán)境下的耐受能力，以確保芯片的可靠性。
閂鎖測(cè)試是一種測(cè)試芯片在環(huán)境下是否會(huì)出現(xiàn)意外斷電等異常情況的測(cè)試。
該測(cè)試會(huì)在芯片的電源輸入端加入一個(gè)電壓保護(hù)器，然后在芯片正常運(yùn)行的情況下，用一個(gè)高速開關(guān)控制電源輸入端的電源開關(guān)，模擬突然斷電的情況，從而測(cè)試芯片在此情況下的表現(xiàn)和恢復(fù)能力。
**靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷。**通常情況下，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個(gè)表面獲得電子，而另一個(gè)表面失去電子。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。
當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí)，它便成為靜電放電 (ESD)，并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動(dòng)。
當(dāng)靜電荷移動(dòng)時(shí)，就形成了電流，因此可以損害或破壞柵極氧化層、金屬層和結(jié)。
JEDEC 通過兩種方式測(cè)試 ESD：
一種組件級(jí)應(yīng)力，用于模擬人體通過器件將累積的靜電荷釋放到地面的行為。
一種組件級(jí)應(yīng)力，根據(jù) JEDEC JESD22-C101 規(guī)范，模擬生產(chǎn)設(shè)備和過程中的充電和放電事件。
測(cè)試項(xiàng)目：高溫測(cè)試、低溫測(cè)試、快速溫變測(cè)試、冷熱沖擊測(cè)試、溫度循環(huán)測(cè)試、濕熱測(cè)試、鹽霧測(cè)試、結(jié)露測(cè)試等。
主要設(shè)備：高低溫交變濕熱箱、恒溫恒濕箱、絕緣電阻劣化離子遷移評(píng)估系統(tǒng)、多通道測(cè)試系統(tǒng)、溫度循環(huán)箱TC、溫度沖擊箱TS、鹽霧試驗(yàn)機(jī)、高壓老化機(jī)等。
1.快速溫變?cè)囼?yàn)箱
用于電工、電子產(chǎn)品整機(jī)及零部件進(jìn)行耐寒、耐熱試驗(yàn)，溫度快速變化或漸變條件下的環(huán)境應(yīng)力篩選試驗(yàn)。
2.冷熱沖擊試驗(yàn)箱
用于測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料,在瞬間經(jīng)溫以及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度，最短時(shí)間內(nèi)檢測(cè)試樣因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害。
3.加速老化試驗(yàn)箱
用于IC封裝，半導(dǎo)體，微電子芯片，磁性材料及其它電子零件進(jìn)行高壓、高溫、不飽和/飽和濕熱、等加速壽命信賴性試驗(yàn)，使用于產(chǎn)品的設(shè)計(jì)階段，快速暴露產(chǎn)品設(shè)計(jì)薄弱環(huán)節(jié)或測(cè)試其制品的密封性和老化性能。
4.鹽霧試驗(yàn)機(jī)
鹽霧機(jī)通過考核對(duì)材料及其防護(hù)層的鹽霧腐蝕的能力，以及相似防護(hù)層的工藝質(zhì)量比較，同時(shí)可考核某些產(chǎn)品抗鹽霧腐蝕的能力；該產(chǎn)品造用于零部件、電子元件、金屬材料的防護(hù)層以及工業(yè)產(chǎn)品的鹽霧腐蝕試驗(yàn)。
關(guān)于我們
上海簡(jiǎn)戶儀器設(shè)備有限公司是一家高科技合資企業(yè),生產(chǎn)銷售鹽霧箱、恒溫恒濕機(jī)、冷熱沖擊機(jī)、振動(dòng)試驗(yàn)機(jī)、機(jī)械沖擊機(jī)、跌落試驗(yàn)機(jī)的環(huán)境試驗(yàn)儀器的公司，研發(fā)生產(chǎn)銷售經(jīng)營各類可靠性環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備。經(jīng)驗(yàn)豐富，并得到許多國內(nèi)外廠商的信賴與支持。自公司成立以來,多次服務(wù)于國內(nèi)外大學(xué)和研究所等檢測(cè)機(jī)構(gòu),如清華大學(xué)、蘇州大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、法國申美檢測(cè)、中科院物理所、中科院，SGS等**單位提供實(shí)施室方案和設(shè)備及其相關(guān)服務(wù)。努力開發(fā)半導(dǎo)體、光電、光通訊、航天太空、生物科技、食品、化工、制藥等行業(yè)產(chǎn)品所需的測(cè)試設(shè)備裝置。公司擁有一支的研發(fā)、生產(chǎn)和售後隊(duì)伍，從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù)，每一個(gè)環(huán)節(jié)都以客戶的觀點(diǎn)與需求作為思考的出發(fā)點(diǎn)。
為適應(yīng)市場(chǎng)快速變化及客戶多樣化的要求，上海簡(jiǎn)戶儀器設(shè)備有限公司研發(fā)了性能與可靠性**JianHuTest產(chǎn)品系列.從精密零件到電腦資訊系統(tǒng)及有線無線通訊產(chǎn)業(yè)，均可提供高品質(zhì)的設(shè)備與完善的售后服務(wù)。
上海簡(jiǎn)戶榮獲企業(yè)，表明上海簡(jiǎn)戶在技術(shù)、科技成果轉(zhuǎn)化、擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)等方面得到了國家的高度認(rèn)可。簡(jiǎn)戶一直秉承"服務(wù)以人為本"的宗旨，為廣大客戶提供精良的設(shè)備及優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，提供的送貨上門、安裝調(diào)試、一年的設(shè)備保養(yǎng)、終身維修，技術(shù)指導(dǎo)服務(wù)。始終如一的以"努力、合作、飛躍"的精神自我完善、不斷發(fā)展、讓客戶與公司實(shí)現(xiàn)雙贏局面。
簡(jiǎn)戶是集設(shè)計(jì)、銷售、研發(fā)、維修服務(wù)等為一體的綜合集團(tuán)公司，從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù)，每一個(gè)環(huán)節(jié)之間，都以客戶的觀點(diǎn)與需求作為思考的出發(fā)點(diǎn)，提供的環(huán)境設(shè)備。公司創(chuàng)始人從事儀器設(shè)備行業(yè)20余年，經(jīng)驗(yàn)豐富、資歷雄厚，帶領(lǐng)簡(jiǎn)戶公司全體同仁攜手共建輝煌明天。公司成立以來，積極投入電子電工，航空，航天，生物科技，各大院校，及科研單位等行業(yè)所需的產(chǎn)品測(cè)試設(shè)備裝置。
簡(jiǎn)戶擁有一支的研發(fā)、生產(chǎn)和售后服務(wù)隊(duì)伍，從產(chǎn)品的研發(fā)到售后服務(wù)，每一個(gè)環(huán)節(jié)都以客戶的觀點(diǎn)與需求作為思考的出發(fā)點(diǎn)，目前擁有博士學(xué)位2人，碩士5人，參與環(huán)境試驗(yàn)箱國家標(biāo)準(zhǔn)起草和發(fā)行。企業(yè)制定標(biāo)準(zhǔn)，行業(yè)里通過ISO9001。是中國儀器儀表學(xué)會(huì)會(huì)員和理事單位。曾榮獲CCTV《中國儀器儀表20強(qiáng)品牌》殊榮，2010年入駐上海世博會(huì)民企館。簡(jiǎn)戶自創(chuàng)辦以來，參與3項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)起草與制定，獲得40+件原創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)、軟著、集成電路)，6次獲得上?？萍夹椭行∑髽I(yè)稱號(hào)，合作過3200+家合作客戶(其中世界500強(qiáng)高校600家)。
簡(jiǎn)戶儀器今后必將牢記為客戶提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品和服務(wù)的宗旨，不忘為行業(yè)貢獻(xiàn)前沿科學(xué)和技術(shù)的初心，再接再厲，砥礪前行！
【簡(jiǎn)戶儀器簡(jiǎn)介:成立2005年，是一家研發(fā)，生產(chǎn)，銷售及售后齊全的綜合性設(shè)備生產(chǎn)單位，多次評(píng)為科技型中小企業(yè)，，客戶遍布高分子，汽車，半導(dǎo)體，塑膠，五金，科研院校，第三方檢測(cè)等】
【公司總部】
地址：上海松江區(qū)新橋鎮(zhèn)泗磚南路255弄漕河涇開發(fā)區(qū)名企公館59棟2層至4層（廠址：上海金山區(qū)亭林工業(yè)園區(qū)亭誼路68號(hào)簡(jiǎn)戶科技園近南亭公路）
郵箱：44658997@qq.com
傳真：86-021-31322806,